Les travaux présentés participent au développement de composants optoélectroniques dans la lière silicium s'appuyant sur les procédés microélectroniques. Ils présentent l'étude d'un modulateur de lumière à la longueur d'onde de 1,3 microns, basé sur une structure de multipuits SiGe/Si à dopage modulé sur substrat silicium sur isolant. La structure est placée dans la région intrinsèque d'une jonction pin an de contrôler la densité de trous dans les puits SiGe par l'application d'une tension inverse. La modulation optique est obtenue par la variation d'indice de réfraction des couches SiGe suivant la concentration de trous. L'écriture d'un outil de simulation exploité en plans d'expériences a permis de déterminer les inuences respectives des paramètres de la structure sur l'efcacité du dispositif. Les étapes technologiques ont été validées sur des composants de test. Les mesures capacité-tension ont permis de remonter aux profils de trous dans la structure en cohérence avec la simulation numérique. La modulation optique a été mise en évidence par la mesure de la variation du coefficient de transmission du multicouche par l'application d'une tension.

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Arnaud Cordat est né en France en 1975. Après des études d''ingénieur physicien, il soutient une thèse en optoélectronique à l''Université Paris XI en 2002. Il est ensuite recruté par Sagem au laboratoire de développement des imageurs infrarouge. Depuis 2009, il dirige l''équipe de développement et support à la fabrication sur cette technologie.